- RS Best.-Nr.:
- 177-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2625K4-G
- Hersteller:
- Microchip
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2625K4-G
- Hersteller:
- Microchip
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der DN2625 ist ein (normalerweise eingeschalteter) Transistor mit Verarmungsmodus, für den eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
Zusätzliche Funktionen: Sehr niedrige Gate-SchwellenspannungEntwickelt für QuellenantriebNiedrige SchaltverlusteNiedrige effektive AusgangskapazitätEntwickelt für induktive LastenGut abgestimmt auf niedrige zweite Oberwelle bei Antrieb durch MD2130
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,5 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 6.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,04 nC @ 1,5 V |
Breite | 6.1mm |
Höhe | 2.29mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
Serie | DN2625 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |