Vishay Siliconix TrenchFET SI7469DP-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 28 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 28 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 29 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 83 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5.99mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Serie | TrenchFET |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.07mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix