- RS Best.-Nr.:
- 172-0477
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3H160SPTL1
- Hersteller:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
25 - 225 | € 1,148 | € 28,70 |
250 - 475 | € 1,032 | € 25,80 |
500 - 975 | € 0,94 | € 23,50 |
1000 - 1975 | € 0,806 | € 20,15 |
2000 + | € 0,79 | € 19,75 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 172-0477
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3H160SPTL1
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der RD3H160SP ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 16 A |
Drain-Source-Spannung max. | 45 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
Länge | 6.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 6.4mm |
Höhe | 2.3mm |
Serie | RD3H160SP |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |