ROHM RQ6E080AJT RQ6E080AJTCR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,25 W, 6-Pin SC-95, SOT-457T, TSMT

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Datenblätter und Anleitungen

Der RQ6E080AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Niedriger Betriebswiderstand
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT6)
Bleifreie Beschichtung

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SC-95, SOT-457T, TSMT
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	19,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
Verlustleistung max.	1,25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Länge	3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16,2 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.8mm
Höhe	0.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Serie	RQ6E080AJT