- RS Best.-Nr.:
- 171-9858
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1L180GNTB
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 171-9858
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1L180GNTB
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der RS1L180GN ist ein MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und Hochleistungsgehäuse für das Schalten.
Niedriger Betriebswiderstand
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Beschichtung
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet
Hochleistungsgehäuse (HSOP8)
Bleifreie Beschichtung
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 68 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | HSOP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 39 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 5mm |
Länge | 5.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
Serie | RS1L180GN |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 1.05mm |