ROHM RQ5E040TN RQ5E040TNTL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

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Datenblätter und Anleitungen

Der RQ5E040TN ist ein Kleinsignal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand und integrierter G-S-Schutzdiode. Er ist für das Schalten geeignet.

Niedriger Betriebswiderstand.
Integrierte G-S-Schutzdiode.
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT3).
Bleifreie Beschichtung

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TSMT-3
Serie	RQ5E040TN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	66 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
Verlustleistung max.	1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,9 nC bei 4,5 V
Länge	3mm
Breite	1.8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.95mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V