Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 171-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- TK31V60W5
- Hersteller:
- Toshiba
Voraussichtlich ab 14.10.2024 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 2)
€ 5,39
(ohne MwSt.)
€ 6,47
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | € 5,39 | € 10,78 |
| 10 - 98 | € 4,845 | € 9,69 |
| 100 - 498 | € 4,41 | € 8,82 |
| 500 - 998 | € 4,045 | € 8,09 |
| 1000 + | € 3,725 | € 7,45 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 171-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- TK31V60W5
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Schaltspannungsregler
Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)
Einfach zu steuerndes Gate-Switching
Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)
Einfach zu steuerndes Gate-Switching
Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | DFN |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 109 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 240 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 8mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Breite | 8mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
| Höhe | 0.85mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- TK31V60W5
- Hersteller:
- Toshiba