- RS Best.-Nr.:
- 171-1973
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1973
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der OptiMOS™ 5 100V, die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs von Infineon, wurde eigens für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Zusätzlich können diese Bauelemente in anderen industriellen Anwendungen wie Solar, Niederspannungsantriebe und Adapter verwendet werden. Die neuen MOSFETs der Serie OptiMOS™ 5 100V MOSFETs sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich und bieten den branchenweit niedrigsten R DS(on)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Vorteile:
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niedrige Spannungsübersteuerung
Anwendungsbereiche:
Telekom
Server
Solar
Niederspannungsantriebe
Leichte Elektrofahrzeuge
Adapter
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Vorteile:
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niedrige Spannungsübersteuerung
Anwendungsbereiche:
Telekom
Server
Solar
Niederspannungsantriebe
Leichte Elektrofahrzeuge
Adapter
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Serie | BSC040N10NS5 |
Gehäusegröße | TDSON |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5,6 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V |
Verlustleistung max. | 139 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 5.49mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Breite | 6.35mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
Höhe | 1.1mm |