Toshiba TK TK72E12N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7995
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72E12N1,S1X(S
- Hersteller:
- Toshiba
300 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)
€ 1,814
(ohne MwSt.)
€ 2,177
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 200 | € 1,814 | € 90,70 |
| 250 - 450 | € 1,768 | € 88,40 |
| 500 + | € 1,724 | € 86,20 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-7995
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72E12N1,S1X(S
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 72 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 120 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | TK |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 225 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.16mm |
| Breite | 4.45mm |
| Höhe | 15.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7995
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72E12N1,S1X(S
- Hersteller:
- Toshiba