STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STF2HNK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 20 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 168-7576
- Herst. Teile-Nr.:
- STF2HNK60Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-7576
- Herst. Teile-Nr.:
- STF2HNK60Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 4,8 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Serie | MDmesh, SuperMESH |
Höhe | 16.4mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |