- RS Best.-Nr.:
- 168-7568
- Herst. Teile-Nr.:
- STF12N65M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- RS Best.-Nr.:
- 168-7568
- Herst. Teile-Nr.:
- STF12N65M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 8,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 430 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | +25 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Länge | 10.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.6mm |
Serie | MDmesh M5 |
Höhe | 16.4mm |