IXYS Linear IXTK17N120L N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 17 A 700 W, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 168-4607
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTK17N120L
- Hersteller:
- IXYS
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 168-4607
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTK17N120L
- Hersteller:
- IXYS
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | TO-264 |
| Serie | Linear |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 990 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Verlustleistung max. | 700 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 19.96mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 270 nC @ 15 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.13mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 26.16mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4607
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTK17N120L
- Hersteller:
- IXYS