IXYS Polar HiPerFET IXFN200N10P N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4576
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN200N10P
- Hersteller:
- IXYS
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- IXYS
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | Polar HiPerFET |
| Gehäusegröße | SOT-227 |
| Montage-Typ | Schraubmontage |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 680 W |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 38.23mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 25.07mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 9.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4576
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN200N10P
- Hersteller:
- IXYS