Vishay SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 190 V / 670 mA 13 W, 6-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 165-7264
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-7264
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 670 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 190 V |
| Gehäusegröße | SC-75 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
| Verlustleistung max. | 13 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +16 V |
| Breite | 1.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,3 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 1.7mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 165-7264
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB452DK-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay