- RS Best.-Nr.:
- 165-6980
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA14DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
- RS Best.-Nr.:
- 165-6980
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA14DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 58 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V |
Verlustleistung max. | 31,2 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19,4 nC @ 10 V |
Länge | 6.25mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 5.26mm |
Serie | TrenchFET |
Höhe | 1.12mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |