- RS Best.-Nr.:
- 165-6339
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7900AEDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- 165-6339
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7900AEDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 36 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
Verlustleistung max. | 1,5 W |
Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Länge | 3.15mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 4,5 V |
Breite | 3.15mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 1.07mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6339
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7900AEDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay