- RS Best.-Nr.:
- 165-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4835DDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-6281
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4835DDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 10,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 5,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 1.55mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |