Vishay SIHF640L-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 165-6089
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF640L-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF640L-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 130 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.83mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Höhe | 11.3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6089
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF640L-GE3
- Hersteller:
- Vishay