- RS Best.-Nr.:
- 153-0762
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9M28-80EX
- Hersteller:
- Nexperia
- RS Best.-Nr.:
- 153-0762
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9M28-80EX
- Hersteller:
- Nexperia
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 80 V, 28 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.
Q101-konform
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C
Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V
Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung
Getriebesteuerung
Schalten von extrem hohen Leistungen
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C
Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V
Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung
Getriebesteuerung
Schalten von extrem hohen Leistungen
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 33 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | LFPAK33 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.45V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 75 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 15 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 2.6mm |
Länge | 3.4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,1 nC bei 10 V |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Höhe | 0.9mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |