Vishay SI2302DDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 0,71 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 146-4437
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SI2302DDS-T1-GE3
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Halogenfrei
Leistungs-MOSFET TrenchFET®
100 % Rg-geprüft
ANWENDUNGEN
Lastschaltung für tragbare Geräte
DC/DC-Wandler
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.85V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 0,71 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±8 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,5 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 146-4437
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay