Kürzlich gesucht

    Wolfspeed C2M1000170D N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 5 A 69 W, 3-Pin TO-247

    RS Best.-Nr.:
    145-6660
    Herst. Teile-Nr.:
    C2M1000170D
    Hersteller:
    Wolfspeed
    Wolfspeed
    Alle MOSFET anzeigen
    870 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro 1 Stück (in Stange zu 30)

    € 8,67

    (ohne MwSt.)

    € 10,40

    (inkl. MwSt.)

    StückPro StückPro Stange*
    30 - 120€ 8,67€ 260,10
    150 - 270€ 8,445€ 253,35
    300 +€ 8,237€ 247,11
    *Bitte VPE beachten
    RS Best.-Nr.:
    145-6660
    Herst. Teile-Nr.:
    C2M1000170D
    Hersteller:
    Wolfspeed
    Ursprungsland:
    CN

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    CN

    Informationen zur Produktgruppe

    Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed


    Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

    • Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
    • Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
    • Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
    • Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
    • Latch-Up-resistenter Betrieb


    MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.5 A
    Drain-Source-Spannung max.1700 V
    GehäusegrößeTO-247
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.1V
    Gate-Schwellenspannung min.2.4V
    Verlustleistung max.69 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-5 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V
    Transistor-WerkstoffSiC
    Breite5.21mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge16.13mm
    Höhe21.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung3.8V
    870 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
    Add to Basket
    Stück

    Im Warenkorb

    Preis pro 1 Stück (in Stange zu 30)

    € 8,67

    (ohne MwSt.)

    € 10,40

    (inkl. MwSt.)

    StückPro StückPro Stange*
    30 - 120€ 8,67€ 260,10
    150 - 270€ 8,445€ 253,35
    300 +€ 8,237€ 247,11
    *Bitte VPE beachten