ROHM BSM BSM300D12P2E001 N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C
- RS Best.-Nr.:
- 144-2260
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM300D12P2E001
- Hersteller:
- ROHM
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | C |
| Serie | BSM |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.6V |
| Verlustleistung max. | 1875 W |
| Länge | 152mm |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 57.95mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Höhe | 17mm |
- RS Best.-Nr.:
- 144-2260
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM300D12P2E001
- Hersteller:
- ROHM