Vishay TrenchFET SIRA90DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 134-9165
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,15 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 104 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Länge | 6.25mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 5.26mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.12mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
- RS Best.-Nr.:
- 134-9165
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA90DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay