Infineon CoolMOS CE IPN60R2K1CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 3,7 A 5 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 130-0919
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R2K1CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 130-0919
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R2K1CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | SOT-223 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 + Tab |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,1 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 5 W |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,7 nC @ 10 V |
| Breite | 3.7mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 6.7mm |
| Höhe | 1.7mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V |
| Serie | CoolMOS CE |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 130-0919
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R2K1CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon