DiodesZetex ZXMN6A09DN8TA N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,6 A 2,1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 121-9984
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A09DN8TA
- Hersteller:
- DiodesZetex
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 121-9984
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A09DN8TA
- Hersteller:
- DiodesZetex
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- GB
Informationen zur Produktgruppe
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Verlustleistung max. | 2,1 W |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,4 nC @ 5 V, 24,2 nC @ 5 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 121-9984
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A09DN8TA
- Hersteller:
- DiodesZetex