Infineon OptiMOS 5 IPP023N10N5AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 110-7116
Herst. Teile-Nr.:: IPP023N10N5AKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 IPP023N10N5AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220

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Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Informationen zur Produktgruppe

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS 5
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	168 nC @ 10 V
Breite	4.57mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	15.95mm

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