Nexperia PSMN5R5-60YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 130 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 103-8127
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN5R5-60YS,115
- Hersteller:
- Nexperia
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 130 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 103-8127
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN5R5-60YS,115
- Hersteller:
- Nexperia