Toshiba 2SK 2SK3878(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 415-354P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 415-354P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 15.9mm |
| Breite | 4.8mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Serie | 2SK |
| Höhe | 19mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 415-354P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba