- RS Best.-Nr.:
- 415-354
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 415-354
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
Gehäusegröße | TO-3PN |
Serie | 2SK |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 15.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Breite | 4.8mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 19mm |
- RS Best.-Nr.:
- 415-354
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Hersteller:
- Toshiba