- RS Best.-Nr.:
- 897-7217
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW15N120T2FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
Alternative
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- RS Best.-Nr.:
- 897-7217
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW15N120T2FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.
Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
Sehr geringer VCEsat
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Endstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
Sehr geringer VCEsat
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Endstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 235 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Gate-Kapazität | 1000pF |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Nennleistung | 2.8mJ |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |