N-Kanal IGBT FGA30S120P, 1300 V 60 A, TO-3PN 3-Pin Einfach

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Informationen zur Produktgruppe

Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A
Kollektor-Emitter- 1300 V
Gate-Source Spannung max. ±25V
Verlustleistung max. 348 W
Gehäusegröße TO-3PN
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 15.8mm
Breite 5mm
Höhe 20.1mm
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +175 °C
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