N-Kanal IGBT FGPF50N33BTTU, 330 V 50 A 1MHz, TO-220F 3-Pin Einfach

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A
Kollektor-Emitter- 330 V
Gate-Source Spannung max. ±30V
Verlustleistung max. 43 W
Gehäusegröße TO-220F
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Schaltgeschwindigkeit 1MHz
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 10.36mm
Breite 2.74mm
Höhe 16.07mm
Abmessungen 10.36 x 2.74 x 16.07mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
30 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 5)
0,94
(ohne MwSt.)
1,13
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
€ 0,94
€ 4,70
25 - 45
€ 0,906
€ 4,53
50 - 245
€ 0,872
€ 4,36
250 - 495
€ 0,85
€ 4,25
500 +
€ 0,842
€ 4,21
*Bitte VPE beachten
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