N-Kanal IGBT NGB8245NT4G, 500 V 50 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach

  • RS Best.-Nr. 802-1771
  • Herst. Teile-Nr. NGB8245NT4G
  • Hersteller Littelfuse
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

IGBT, diskret, ON Semiconductor

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.

IGBT, diskret, ON Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A
Kollektor-Emitter- 500 V
Gate-Source Spannung max. 500V
Verlustleistung max. 150 W
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 9.65mm
Breite 10.29mm
Höhe 4.83mm
Abmessungen 9.65 x 10.29 x 4.83mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +175 °C
45 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 5)
1,47
(ohne MwSt.)
1,76
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45
€ 1,47
€ 7,35
50 - 95
€ 1,19
€ 5,95
100 +
€ 0,95
€ 4,75
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