Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 796-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J121
- Hersteller:
- Toshiba
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 170 W |
| Gehäusegröße | TO-3P |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.9 x 4.8 x 20mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 796-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J121
- Hersteller:
- Toshiba