ROHM IGBT / ±30 A 6-fach, 600 V 59 W, 25-Pin HSDIP
- RS Best.-Nr.:
- 185-1033
- Herst. Teile-Nr.:
- BM63767S-VC
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 185-1033
- Herst. Teile-Nr.:
- BM63767S-VC
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
BM63767S-VC ist ein Intelligent Power Module bestehend aus Gatetreibern, Bootstrap-Dioden, IGBTs, Fly-Wheel-Dioden.
3-Phasen-DC/AC-Wechselrichter
600 V/30 A
Low Side IGBT, offener Emitter
Integrierte Bootstrap-Diode
IGBT-Gate-Treiber (HVIC) auf der Hochdruckseite: SOI-Prozess (Silizium auf Isolator), Antriebskreis, Hochspannungspegelschaltung, Strombegrenzung für Bootstrap-Diode, Unterspannung der Steuerstromversorgung gesperrt (UVLO)
Low Side IGBT Gate-Treiber (LVIC): Antriebsstromkreis, Kurzschlussschutz (SCP), Steuerstromversorgung unter Spannung gesperrt (UVLO), thermische Abschaltung (TSD)
Fehlersignal (LVIC) Entspricht SCP-Fehler (Low Side IGBT), TSD, UVLO-Fehler
Eingangsschnittstelle 3,3 V, 5-V-Leitung
600 V/30 A
Low Side IGBT, offener Emitter
Integrierte Bootstrap-Diode
IGBT-Gate-Treiber (HVIC) auf der Hochdruckseite: SOI-Prozess (Silizium auf Isolator), Antriebskreis, Hochspannungspegelschaltung, Strombegrenzung für Bootstrap-Diode, Unterspannung der Steuerstromversorgung gesperrt (UVLO)
Low Side IGBT Gate-Treiber (LVIC): Antriebsstromkreis, Kurzschlussschutz (SCP), Steuerstromversorgung unter Spannung gesperrt (UVLO), thermische Abschaltung (TSD)
Fehlersignal (LVIC) Entspricht SCP-Fehler (Low Side IGBT), TSD, UVLO-Fehler
Eingangsschnittstelle 3,3 V, 5-V-Leitung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | ±30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Anzahl an Transistoren | 6 |
| Verlustleistung max. | 59 W |
| Gehäusegröße | HSDIP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 25 |
| Abmessungen | 38 x 24 x 3.5mm |
| Betriebstemperatur min. | –25 °C |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |