ROHM IGBT / 85 A ±30V max., 650 V 277 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 185-1017
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT00TS65DGC11
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 185-1017
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT00TS65DGC11
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Informationen zur Produktgruppe
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integrierte FRD für sehr schnelle und weiche Wiederherstellung (RFN - Serie)
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integrierte FRD für sehr schnelle und weiche Wiederherstellung (RFN - Serie)
PB - kostenloses Kabelplättchen, RoHS-konform
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 85 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V |
| Verlustleistung max. | 277 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16 x 5 x 21mm |
| Gate-Kapazität | 2770pF |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |