DiodesZetex IGBT / 50 A, 100 A (Impuls) ±20V max. , 1200 V 348 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 182-7143
Herst. Teile-Nr.:: DGTD120T25S1PT
Hersteller:: DiodesZetex

DiodesZetex IGBT / 50 A, 100 A (Impuls) ±20V max. , 1200 V 348 W, 3-Pin TO-247

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Hersteller:: DiodesZetex

Datenblätter und Anleitungen

Datasheet DGTD120T25S1PT

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Informationen zur Produktgruppe

Das Modell DGTD120T25S1PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie und bietet daher niedrige VCE(sat), ausgezeichnete Qualität und hohe Schaltleistung.

Hohe Schaltgeschwindigkeit & niedriger VCE(sat)-Verlust
VCE(sat) = 2,0 V @ IC = 25 A
Hohe Eingangsimpedanz
trr = 100 ns (typ.) @ diF/dt = 500 A/μs
Extrem weiche, antiparallel geschaltete Diode mit kurzer Erholzeit
Extrem niedrige VF-Verteilungssteuerung
Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
Maximale Verbindungstemperatur 175 °C
Bleifreie Oberfläche
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Motorantrieb
UPS
Schweißgerät
Solarwechselrichter
Induktionskocher

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	50 A, 100 A (Impuls)
Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	348 W
Anzahl an Transistoren	1
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Abmessungen	16.26 x 5.31 x 21.46mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Kapazität	3942pF

RS Best.-Nr.:: 182-7143
Herst. Teile-Nr.:: DGTD120T25S1PT
Hersteller:: DiodesZetex

Datasheet DGTD120T25S1PT