ROHM IGBT / 15 A ±30V max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 178-0488
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGTL
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-0488
- Herst. Teile-Nr.:
- RGT30NS65DGTL
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 15 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1,65 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
| Verlustleistung max. | 133 W |
| Gehäusegröße | LPDS |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 10.1 x 9 x 4.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Kapazität | 780pF |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |