N-Kanal IGBT IKW30N60H3FKSA1, 600 V 60 A, TO-247 3-Pin Einfach

  • RS Best.-Nr. 145-9416
  • Herst. Teile-Nr. IKW30N60H3FKSA1
  • Hersteller Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: MY
Informationen zur Produktgruppe

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V

Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.

• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Verlustleistung max. 187 W
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 16.13mm
Breite 5.21mm
Höhe 21.1mm
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. –40 °C
Nennleistung 1.72mJ
Gate-Kapazität 1630pF
360 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 30)
3,212
(ohne MwSt.)
3,854
(inkl. MwSt.)
Stück
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Pro Stange*
30 +
€ 3,212
€ 96,36
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