N-Kanal IGBT IKW15N120H3FKSA1, 1200 V 30 A, TO-247 3-Pin Einfach

  • RS Best.-Nr. 145-9239
  • Herst. Teile-Nr. IKW15N120H3FKSA1
  • Hersteller Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: CN
Informationen zur Produktgruppe

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V

Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Verlustleistung max. 217 W
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 16.03mm
Breite 5.16mm
Höhe 21.1mm
Abmessungen 16.03 x 5.16 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. –40 °C
Betriebstemperatur max. +175 °C
300 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (in Stange zu 30)
3,956
(ohne MwSt.)
4,747
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +
€ 3,956
€ 118,68
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