Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-274AA N-Kanal

Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Verwendung von FRED-Dioden optimiert die beste Leistung mit IGBTs

IGBT-Transistoren, International Rectifier

International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.