- RS Best.-Nr.:
- 110-7756
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N60H3FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Preis pro 1 Stück (in Packung zu 4)
€ 2,663
(ohne MwSt.)
€ 3,196
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
4 - 16 | € 2,663 | € 10,652 |
20 - 96 | € 2,043 | € 8,172 |
100 - 196 | € 1,77 | € 7,08 |
200 - 496 | € 1,668 | € 6,672 |
500 + | € 1,638 | € 6,552 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 110-7756
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N60H3FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Sehr geringer VCEsat
Niedrige Abschaltverluste
Kurzer Deaktivierungsstrom
Geringe elektromagnetische Störungen
Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 187 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Gate-Kapazität | 1630pF |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Nennleistung | 1.72mJ |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |