SKM150GAL12T4 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 232 A, SEMITRANS2 5-Pin

  • RS Best.-Nr. 687-4951
  • Herst. Teile-Nr. SKM150GAL12T4
  • Hersteller Semikron
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: SK
Informationen zur Produktgruppe

Einfach-IGBT-Module

SEMIKRON bietet IGBT- (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Module in SEMITRANS-, SEMiX- und SEMITOP-Paketen in verschiedenen Topologien, Strom und Nennspannungen.

IGBT-Module, Semikron

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Konfiguration Single
Transistor-Konfiguration Einfach
Dauer-Kollektorstrom max. 232 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Frontplattenmontage
Gehäusegröße SEMITRANS2
Pinanzahl 5
Abmessungen 94 x 34 x 30.1mm
Höhe 30.1mm
Länge 94mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Breite 34mm
Betriebstemperatur min. -40 °C
80 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück
97,61
(ohne MwSt.)
117,13
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
€ 97,61
10 - 19
€ 72,52
20 +
€ 68,92