- RS Best.-Nr.:
- 505-3217
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB176D
- Hersteller:
- Semikron
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 260 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1700 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke |
Gehäusegröße | SEMITRANS3 |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 7 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 106.4 x 61.4 x 30mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |