- RS Best.-Nr.:
- 195-8771
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH100B120H3Q0STG
- Hersteller:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 195-8771
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH100B120H3Q0STG
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.
IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Verlustleistung max. | 186 W |
Konfiguration | Dual |
Gehäusegröße | Q0BOOST |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 22 |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Abmessungen | 66.2 x 32.8 x 11.9mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |