onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.

IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe