onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 195-8768
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH100B120H3Q0PTG
- Hersteller:
- onsemi
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- NXH100B120H3Q0PTG
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.
IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe
Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz
25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden
Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus
SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V
SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit
Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich
Flexible Montage
Anwendungen
MPPT-Boost-Stufe
Ladegerät-Ladestufe
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 186 W |
| Gehäusegröße | Q0BOOST |
| Konfiguration | Dual |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 22 |
| Transistor-Konfiguration | Dual |
| Abmessungen | 66.2 x 32.8 x 11.9mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |