- RS Best.-Nr.:
- 122-0393
- Herst. Teile-Nr.:
- SEMiX603GB12E4p
- Hersteller:
- Semikron
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
SEMiX® Dual-IGBT-Module
Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme.
Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387
Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387
Flaches, lötfreies Montagegehäuse
IGBTs mit Trenchgate-Technologie
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit
Presssitz-Stifte als Hilfskontakte
UL-Zulassung
IGBTs mit Trenchgate-Technologie
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit
Presssitz-Stifte als Hilfskontakte
UL-Zulassung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 1,1 kA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | 20V |
Gehäusegröße | SEMiX®3p |
Konfiguration | Serie |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 11 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 150 x 62.4 x 17mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |