- RS Best.-Nr.:
- 175-1422P
- Herst. Teile-Nr.:
- BGS13S4N9E6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 175-1422P
- Herst. Teile-Nr.:
- BGS13S4N9E6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Informationen zur Produktgruppe
Der BGS13S4N9 RF-MOS-Schalter wurde speziell für den Einsatz in Mobiltelefonen und mobilen Anwendungen entwickelt. Die drei Anschlüsse können als Anschluss der Diversity-Antennen zur Handhabung von bis zu 30 dBm verwendet werden. Dieser SP3T bietet eine hervorragende ESD-Robustheit von 1kV, geringe Einfügedämpfung und hohe Robustheit gegenüber Störsignalen am Antennenanschluss und geringe Oberschwingungserzeugung im Anschlussmodus.
3 hochlineare TRx-Pfade mit einer Belastbarkeit von bis zu 30 dBm
Kleiner Formfaktor: 1,1 x 1,1 x 0,375 mm
Niedrige Einfügedämpfung @ 2,7 GHz 0,55 dB
Niedrige Oberschwingungserzeugung
Hohe Port-zu-Port-Isolierung
0,1 bis 3,0 GHz Abdeckung
Steuerungslogik auf dem Chip inklusive ESD-Schutz
GPIO-Steuerschnittstelle
Kein Netzteil erforderlich.
Hohe Störfestigkeit gegen elektromagnetische Störungen
Kleiner Formfaktor: 1,1 x 1,1 x 0,375 mm
Niedrige Einfügedämpfung @ 2,7 GHz 0,55 dB
Niedrige Oberschwingungserzeugung
Hohe Port-zu-Port-Isolierung
0,1 bis 3,0 GHz Abdeckung
Steuerungslogik auf dem Chip inklusive ESD-Schutz
GPIO-Steuerschnittstelle
Kein Netzteil erforderlich.
Hohe Störfestigkeit gegen elektromagnetische Störungen
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Technologie | CMOS |
Gehäusegröße | TSNP-9-3 |
Pinanzahl | 9 |
Montage-Typ | SMD |
Abmessungen | 1.1 x 1.1 x 0.37mm |
Länge | 1.1mm |
Breite | 1.1mm |
Höhe | 0.37mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,3 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung min. | 1,8 V |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |