Omron G3VM SMD Halbleiterrelais, DPST 350 V / 0,12 A

Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen

Das G3VM-352F-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-W-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit DIP-2a-Gehäuse (Dual in-Line) mit 8 Leiterplatten-Relais-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.

• MOSFET-Halbleiterrelais.
• Schlankes, 2,1 mm hohes Relais.
• SMD-Relais-Anschlussklemmen.
• DIP 2a (Dual-in-Line-Gehäuse).
• Kontaktform: DPST-NO (Schließer).
• Durchsteckrelais.
• SMT 2a.
• Leiterplatten-Anschlussklemmen.
• IR-LED (optisch gekoppelt).
• 8 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 350 V ac.
• Laststrom: 120 mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ω.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
• SSR-Einschaltzeit: 1 ms max.
• SSR-Abschaltzeit: 1 ms max.
• Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
• RoHS-konform.

• Lange Betriebslebensdauer.
• Geringer Leckstrom.
• SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
• Hohe Isolierung.
• Geräuscharmer Betrieb.
• Hochgeschwindigkeitsschalten.
• Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
• Foto-LED-Eingang.
• Statusausgang.
• Kompakt

• Sicherheitsgeräte.
• Unterhaltungsgeräte.
• Messgeräte.